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        MOS管損毀原因大總結 看得明明白白-KIA MOS管

        信息來源:本站 日期:2020-03-03 

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        MOS管損毀原因大總結 看得明明白白

        本文主要講MOS管損毀原因,會從4個方面來講。希望對大家有所幫助。MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。


        1、MOS管損毀原因-在電源電壓方面


        1)、過流-------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀;


        2)、過壓-------源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿;


        3)、靜電-------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電;


        2、MOS管損毀原因-在MOS管電源電壓方面


        1)、漏源電壓過大,MOS管燒壞?,F象:MOS管D、S兩端短路;


        2)、漏源電流過大,MOS管燒壞?,F象:MOS管D、S兩端短路;


        3)、柵源電壓過大,MOS管燒壞?,F象:MOS管G、D、S短路;


        3、MOS管損毀原因-其他方面


        1)、堵轉會使電機感應電動勢升高,使電機電流大增過流保護太遲鈍;


        2)、同時導通;


        3)、功率過大;


        4)、散熱不足;


        5)、頻率太高;


        6)、MOS管內阻未充分考慮,導致開關阻抗增大;


        4、MOS管損毀原因-會對MOS管造成的影響


        1)、MOS管吸附灰塵,改變線路間的阻抗,影響MOS管的功能和壽命。


        2)、因電場或電流破壞元件絕緣層和導體,使MOS管不能工作(完全破壞)。


        3)、因瞬間的電場軟擊穿或電流產生過熱,使MOS管受傷,雖仍能工作,但是壽命受損。



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